Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT 2 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 15 A |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 100°C | 7.5 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 15A, 25°C: 1.7 V |
| Corrente de Pico (Icm) | 45 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 mA |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 104 W |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +150°C |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Frequência de Comutação | Alta |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, UPS, controle de motores. |
FAQ
Qual o encapsulamento do IKW15N120T2?
O IKW15N120T2 é encapsulado em TO-247.
Quais as temperaturas de operação do IKW15N120T2?
A temperatura de operação (Tj) do IKW15N120T2 varia de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do IKW15N120T2?
O IKW15N120T2 é projetado para aplicações como fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, UPS e controle de motores.