Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 8 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 4 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 8 A: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) Máxima | 0.3 A |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 1000 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 150 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Cres) | 20 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 20 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 50 ns |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IKW08T120?
O IKW08T120 possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IKW08T120?
A faixa de temperatura de operação do IKW08T120 é de -40°C a +150°C.
Qual a tensão máxima de Gate-Emissor suportada pelo IKW08T120?
A tensão Gate-Emissor (Vge) máxima do IKW08T120 é ±20 V.