Infineon IKW08T120: IGBT de Alta Potência para Aplicações Exigentes
O IKW08T120 da Infineon é um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) projetado para oferecer alto desempenho em aplicações de comutação de alta potência. Com tecnologia TrenchStop™ e Fieldstop, este componente garante baixa perda de energia, alta velocidade de comutação e excelente robustez.
Especificações Técnicas do IKW08T120
- Tensão coletor-emissor (VCE): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 8A
- Tensão de saturação coletor-emissor (VCE(sat)): 1.7V
- Temperatura máxima de junção (Tj): 150°C
- Encapsulamento: PG-TO247-3
- Tecnologia: TrenchStop™ e Fieldstop
- Tempo de curto-circuito: 10µs
Características e Benefícios do IGBT IKW08T120
O IKW08T120 oferece uma série de vantagens que o tornam ideal para diversas aplicações, incluindo:
- Baixas perdas de condução e comutação, contribuindo para maior eficiência energética.
- Alta velocidade de comutação, permitindo o uso em aplicações de alta frequência.
- Excelente robustez e confiabilidade, garantindo operação estável em ambientes desafiadores.
- Tecnologia TrenchStop™ que proporciona menor tensão de saturação e maior capacidade de corrente.
- Diodo emissor controlado (Emitter Controlled HE diode) com recuperação rápida e suave, reduzindo interferências eletromagnéticas (EMI).
Aplicações do Infineon IKW08T120
Este IGBT é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, como:
- Conversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de acionamento de motores
- Soldagem
- Aquecimento por indução
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