Descrição
O Infineon BSP372L6327 é um MOSFET de canal N de alta eficiência, projetado para aplicações automotivas e industriais.
Especificações
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
|---|---|
| Corrente Drain contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.7 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Temperatura de operação | -55 °C a +175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
Recursos
- Tecnologia OptiMOS™ 5
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa carga de saída (Qoss)
- Alta densidade de potência
- Conformidade com RoHS
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSP372L6327 pode suportar entre o dreno e a fonte?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do Infineon BSP372L6327 é de 60 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP372L6327?
O BSP372L6327 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +175 °C.
Quais são algumas das características do BSP372L6327?
O BSP372L6327 utiliza a tecnologia OptiMOS™ 5, possui baixa carga de gate (Qg) e baixa carga de saída (Qoss), oferece alta densidade de potência e é conforme com RoHS.