Descrição
Transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, otimizado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 9.3 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente Gate | Source Máxima (Igs): ±200 nA |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| AEC | Q101 qualificado |
Recursos
- Baixa carga de gate
- Baixa carga de saída
- Baixa carga de reverse recovery
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do BSC093N04LSG?
O BSC093N04LSG opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão máxima Drain-Source suportada pelo BSC093N04LSG?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do BSC093N04LSG é de 40 V.
Quais são algumas das características do BSC093N04LSG?
O BSC093N04LSG possui baixa carga de gate, baixa carga de saída, baixa carga de reverse recovery, e é qualificado AEC-Q101. Ele utiliza a tecnologia OptiMOS™ 5 e está encapsulado em PG-TDSON-8.