Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com diodo rápido integrado, projetado para aplicações de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ CFD2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 20 A |
| RDS(on) máximo | 0.19 Ω |
| Tensão Gate | Source (Vgs) de limiar: 3 V |
| Corrente Drain Pulsada (Id pulse) | 80 A |
| Package | PG-TO220-3 |
| Temperatura de operação | -55 °C a 150 °C |
Recursos
- Diodo de recuperação rápida integrado
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa capacitância de saída (Coss)
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET Infineon SPA20N60CFD?
O Infineon SPA20N60CFD possui encapsulamento PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPA20N60CFD?
O SPA20N60CFD opera em temperaturas que variam de -55 °C a 150 °C.
Quais as principais características do SPA20N60CFD?
O SPA20N60CFD integra um diodo de recuperação rápida, possui baixa carga de gate (Qg) e baixa capacitância de saída (Coss). Ele é um MOSFET de canal N, com Vds de 600 V e Id de 20 A, baseado na tecnologia CoolMOS™ CFD2.