Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta tensão, 600V, 7A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 7 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.35 Ω (máx. a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 480 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 70 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 10 pF (típico) |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id,pulse) | 28 A |
| Potência Dissipada (Ptot) | 125 W |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET SPA07N60C3?
O transistor MOSFET SPA07N60C3 é encapsulado em PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPA07N60C3?
A temperatura de operação do SPA07N60C3 está entre -55 °C e 150 °C.
Quais são as especificações de tensão e corrente do SPA07N60C3?
O SPA07N60C3 possui tensão Drain-Source (Vds) de 600 V e corrente Drain contínua (Id) de 7 A. A corrente de dreno pulsada (Id,pulse) é de 28 A. A tensão Gate-Source (Vgs) é ±20 V.