Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 199mOhm, projetado para aplicações de alta eficiência em fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 199 mOhm a 10V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 24 A a 25°C |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (typ.) |
| Corrente de Gate Pulsada (Id,pulse) | 72 A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1050 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 15 pF |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Package | PG-TO220FP |
| Encapsulamento | Plástico, sem chumbo |
| Certificação | RoHS |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IPA60R199CP?
O IPA60R199CP possui encapsulamento PG-TO220FP, feito de plástico sem chumbo.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPA60R199CP?
O IPA60R199CP opera em uma faixa de temperatura de -55°C a 150°C.
Qual a tensão de Threshold Gate: Source do IPA60R199CP?
A tensão de Threshold Gate: Source (Vgs(th)) do IPA60R199CP é 2.5 V (típico).