Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 500V, 12A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 500 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 12 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.38 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente Gate (Ig) | ±200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 150 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 |
| Tipo de Canal | N |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, conversores DC/DC, eletrônica de potência. |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon SPA12N50C3?
O Infineon SPA12N50C3 é encapsulado em PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPA12N50C3?
A temperatura de operação do SPA12N50C3 varia de -55°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do SPA12N50C3?
O SPA12N50C3 é tipicamente utilizado em fontes de alimentação chaveadas, conversores DC/DC e eletrônica de potência.