Infineon BUZ311

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O BUZ311 é um transistor de potência N-channel TrenchMOS, projetado para aplicações de comutação de alta frequência.

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Descrição

O BUZ311 é um transistor de potência N channel TrenchMOS, projetado para aplicações de comutação de alta frequência.

Especificações

Tipo de Transistor N-Channel
Tecnologia TrenchMOS
Tensão Dreno Fonte (Vds): 600 V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 12 A
Corrente de Dreno Pulsada (Idm) 48 A
Tensão Gate Source (Vgs): ±20 V
Resistência Dreno Source (Rds(on)): 0.35 Ω (Vgs=10V, Id=7.3A)
Potência Dissipada (Pd) 150 W
Encapsulamento TO-220
Temperatura de Operação -55°C a +150°C

Recursos

  • Tempo de Comutação Rápido

FAQ

Qual o encapsulamento do BUZ311?

O BUZ311 é encapsulado em um TO-220.

Qual a faixa de temperatura de operação do BUZ311?

O BUZ311 opera em temperaturas entre -55°C e +150°C.

Qual a tensão máxima Dreno-Fonte do BUZ311?

A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do BUZ311 é de 600 V.

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