Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta eficiência e confiabilidade.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1800 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 719 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 1400 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 719A, 25°C: 1.75 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: 15 V |
| Corrente de Gate (Ig) nominal | 100 nA |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 13.5 nF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 3.5 nF |
| Capacitância de Transferência (Cres) | 0.7 nF |
| Tempo de Subida (tr) | 150 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 100 ns |
| Package | H-Module 1000 |
| Faixa de Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a 150°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor T719N18TOF pode suportar?
A tensão Coletor: Emissor (Vces) máxima é de 1800 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do T719N18TOF?
A faixa de temperatura de operação (Tj) é de -40°C a 150°C.
Quais são as principais características de corrente do T719N18TOF?
A corrente contínua de coletor (Ic) a 100°C é de 719 A, a corrente pulsada de coletor (Icm) é de 1400 A. A tensão de saturação Coletor: Emissor (Vce(sat)) a 719A, 25°C é de 1.75 V.