Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 1A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 252.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ S5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 1 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 5.5 Ohm @ Vgs = 10V |
| Tensão Gate | Source Threshold (Vgs(th)): 2.5 V |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 |
| Corrente Drain Pulsada (Id,pulse) | 4 A |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Dielétrico de Gate | SiO2 |
Recursos
- Tempo de Comutação Rápido
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon SPD01N60S5?
O transistor Infineon SPD01N60S5 possui encapsulamento PG-TO252-3.
Qual a temperatura de operação do SPD01N60S5?
A temperatura de operação do SPD01N60S5 varia de -55°C a 150°C.
Qual a tensão Drain-Source máxima e a corrente contínua suportada pelo SPD01N60S5?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 600V e a corrente Drain contínua (Id) é de 1A.