IGP01N120H2 – Transistor IGBT Infineon de Alta Velocidade
Procurando por um transistor IGBT de alta velocidade e alta qualidade? Apresentamos o IGP01N120H2 da Infineon, um componente eletrônico de potência que oferece desempenho excepcional para uma variedade de aplicações.
Especificações Técnicas do IGP01N120H2
- Tecnologia: HighSpeed 2
- Tensão coletor-emissor (VCE): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 1A
- Dissipação de potência (Ptot): 20W
- Temperatura de junção (Tj): -55°C a 150°C
- Encapsulamento: PG-TO220-3-1
- Tempo de comutação típico: 90ns
- Configuração: Coletor comum
Aplicações do Transistor IGBT Infineon
O IGP01N120H2 é ideal para aplicações que exigem alta velocidade de comutação e alta eficiência, como:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Reatores eletrônicos para lâmpadas
- Conversores ressonantes
- Circuitos de aquecimento por indução
- Aplicações de soldagem
Benefícios do IGP01N120H2
Este transistor IGBT da Infineon oferece uma série de vantagens, incluindo:
- Alta velocidade de comutação: Permite a operação em frequências mais altas, resultando em menor tamanho e peso dos componentes passivos.
- Baixas perdas de comutação: Aumenta a eficiência energética e reduz a dissipação de calor.
- Alta confiabilidade: Construído com tecnologia de ponta para garantir operação estável e longa vida útil.
- Temperatura de junção elevada: Permite o uso em ambientes com temperaturas desafiadoras.
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