Descrição
Transistor IGBT de alta eficiência da série H3 da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
|---|---|
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 30 A |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 100°C | 15 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 30 A, 25°C: 1.5 V |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT 3ª Geração |
| Corrente de Pico (Icm) | 120 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Potência Dissipada (Ptot) a 25°C | 250 W |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 a 175 °C |
| Package | TO-247 |
| Resistência Térmica (Rthjc) | 0.4 K/W |
Recursos
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo IKW30N60H3?
O IKW30N60H3 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 600 V.
Em que faixa de temperatura o IKW30N60H3 pode operar?
O IKW30N60H3 pode operar em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40 a 175 °C.
Qual o tipo de encapsulamento e a corrente contínua suportada pelo IKW30N60H3?
O IKW30N60H3 é encapsulado em TO-247 e suporta uma corrente de coletor contínua (Ic) de 30 A a 25°C e 15 A a 100°C. Possui também um diodo de ruptura rápida integrado.