Descrição
Transistor de silício de alta tensão, N Channel, TrenchStop™ 5, para aplicações de alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | TrenchStop™ 5 |
|---|---|
| Tipo de transistor | N-Channel |
| Tensão máxima dreno | fonte (Vds): 900 V |
| Corrente contínua de dreno (Id) a 25°C | 30 A |
| Corrente contínua de dreno (Id) a 100°C | 15 A |
| Tensão gate | source máxima (Vgs): ±20 V |
| RDS(on) máximo a 10V, 15A | 0.075 Ω |
| Potência dissipada máxima (Pd) a 25°C | 303 W |
| Temperatura de operação | -55°C a 150°C |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Corrente de pulso de dreno (Idm) | 120 A |
| Capacitância de entrada (Ciss) típica | 1700 pF |
| Tempo de subida (tr) típico | 12 ns |
| Tempo de descida (tf) típico | 8 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon IHW30N90T?
O transistor Infineon IHW30N90T possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IHW30N90T?
A temperatura de operação do IHW30N90T é de -55°C a 150°C.
Qual a tensão máxima suportada pelo IHW30N90T e qual sua corrente contínua?
A tensão máxima dreno-fonte (Vds) do IHW30N90T é de 900 V. A corrente contínua de dreno (Id) é de 30 A a 25°C e 15 A a 100°C.