Infineon BSP373

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Infineon BSP373: Transistor MOSFET de Potência

O BSP373 é um transistor MOSFET de canal N fabricado pela Infineon Technologies, projetado para aplicações de comutação de alta velocidade e baixa potência. Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte de 100V e uma corrente de dreno contínua de 1.8A, este componente SMD (Surface Mount Device) oferece excelente desempenho e confiabilidade em um encapsulamento SOT-223 compacto.

Especificações Técnicas do Infineon BSP373:

  • Tipo de transistor: MOSFET de canal N
  • Tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS): 100V
  • Corrente de dreno contínua (ID): 1.8A
  • Resistência de estado ligado (RDS(on)): 350mΩ (típico)
  • Tensão de limiar de porta (VGS(th)): 2.0V (típico)
  • Dissipação de potência (Ptot): 1.25W
  • Encapsulamento: SOT-223
  • Fabricante: Infineon Technologies

Aplicações do Transistor BSP373:

Graças ao seu design robusto e características elétricas, o BSP373 da Infineon é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Circuitos de acionamento de motor
  • Relés de estado sólido
  • Aplicações de comutação em geral

Vantagens do MOSFET BSP373:

Este transistor MOSFET oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha popular entre os projetistas:

  • Baixa resistência de estado ligado, resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
  • Alta velocidade de comutação, ideal para aplicações que exigem resposta rápida.
  • Encapsulamento SOT-223 compacto, que economiza espaço na placa de circuito impresso.
  • Excelente relação custo-benefício.

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