Descrição
Transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tensão Drain | Source (Vds): 30 V |
|---|---|
| Corrente Drain Contínua (Id) | 150 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 1.5 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 175 °C |
| AEC | Q101 qualificado |
Recursos
- Tecnologia OptiMOS™ 5
- Baixa carga de gate
- Baixa carga de saída
- Alta eficiência
- RoHS compatível
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET BSC150N03LDG pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 30 V.
Em quais temperaturas o BSC150N03LDG pode operar?
O BSC150N03LDG opera em temperaturas de -40 °C a 175 °C.
Quais são algumas das características do BSC150N03LDG que o tornam adequado para aplicações automotivas?
O BSC150N03LDG possui tecnologia OptiMOS™ 5, é qualificado AEC-Q101, e apresenta baixa carga de gate e de saída, além de alta eficiência. Ele é um MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para gerenciamento de energia automotiva.