Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série CoolMOS C3, projetado para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 600 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) a 25°C | 4 A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id pulse) | 12 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)) a 10V: 0.55 Ohm |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 3.2 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 450 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 70 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 15 pF |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Package | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Encapsulamento | Plástico |
| Certificação | RoHS |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento e material do Infineon SPU04N60C3?
O Infineon SPU04N60C3 é encapsulado em plástico no package PG-TO252-3 (DPAK).
Qual a faixa de temperatura de operação do SPU04N60C3?
A temperatura de operação do SPU04N60C3 varia de -55°C a 150°C.
Quais são as principais características elétricas do SPU04N60C3?
O SPU04N60C3 possui tensão Dreno-Fonte (Vds) de 600V, corrente de dreno contínua (Id) de 4A a 25°C, e resistência Dreno-Fonte (RDS(on)) de 0.55 Ohm a 10V.