Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
|---|---|
| Corrente Drain Contínua (Id) | 75 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7.5 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tecnologia | Super Junction MOSFET |
| Package | PG-TO263-3-1 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
Recursos
- Baixa Carga de Gate (Qg)
- Baixa Capacitância de Saída (Coss)
- RoHS Compliant
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor IPP075N15N3G pode suportar?
A tensão máxima Drain-Source (Vds) suportada pelo IPP075N15N3G é de 150 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPP075N15N3G?
O IPP075N15N3G pode operar em temperaturas entre -55 °C e 175 °C.
Quais são algumas das características importantes do IPP075N15N3G?
O IPP075N15N3G possui baixa Carga de Gate (Qg), baixa Capacitância de Saída (Coss) e é RoHS Compliant.