Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ S5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 20 A |
| Resistência Drain | Source On (RDS(on)): 0.19 Ω (máx. a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente Gate (Ig) | 100 nA (máx. a Vgs=0V) |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Package | PG-TO263-3 |
| Encapsulamento | Superfície |
Recursos
- Tempo de Comutação Rápido
- Baixa Carga de Gate
- Baixa Capacitância de Saída
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPB20N60S5 e como ele é montado?
O SPB20N60S5 é encapsulado em PG-TO263-3 e projetado para montagem em superfície.
Quais as temperaturas de operação do SPB20N60S5?
O SPB20N60S5 opera em temperaturas que variam de -55 °C a 150 °C.
Quais são as principais características elétricas do SPB20N60S5?
O SPB20N60S5 é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 600V, corrente Drain contínua (Id) de 20A, resistência Drain-Source On (RDS(on)) máxima de 0.19 Ω e pode ser usado em aplicações que requerem tempo de comutação rápido, baixa carga de gate e baixa capacitância de saída.