Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 30 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 13.5 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 400 A |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| AEC Qualified | Sim |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPD135N03LG pode suportar entre o dreno e a fonte?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 30V, conforme especificado na ficha técnica.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPD135N03LG?
O IPD135N03LG opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 175 °C.
O IPD135N03LG é qualificado para aplicações automotivas e está em conformidade com RoHS?
Sim, o IPD135N03LG é AEC Qualified e RoHS Compliant.