Descrição
O Infineon T508N14TOF é um transistor de potência de silício de alta performance, projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência em sistemas de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ C7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vdss): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 14 A |
| RDS(on) máximo | 80 mΩ |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Package | TO-247 |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa capacitância de saída (Coss)
- Alta robustez contra transientes
- Ideal para fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Aplicações em PFC e inversores
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do Infineon T508N14TOF?
O Infineon T508N14TOF pode operar em temperaturas que variam de -55 °C a +150 °C.
Qual a tensão máxima suportada entre o dreno (Drain) e a fonte (Source) do transistor?
A tensão Drain-Source (Vdss) máxima suportada pelo Infineon T508N14TOF é de 600 V.
Quais são algumas aplicações típicas do Infineon T508N14TOF?
O Infineon T508N14TOF é ideal para fontes de alimentação chaveadas (SMPS) e aplicações em PFC e inversores.