Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta tensão, 800V, 17A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e tecnologia CoolMOS C3.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 800 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) a 25°C | 17 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)) a 10V: 0.17 Ω |
| Tensão Gate | Source (Vgs) Máxima: ±30 V |
| Corrente Gate (Ig) Máxima | ±200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) a 25°C | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Carga de Gate (Qg) | 58 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 12 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 8 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do SPW17N80C3?
O SPW17N80C3 possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPW17N80C3?
A temperatura de operação do SPW17N80C3 varia de -55°C a 150°C.
Qual a tensão máxima de Gate-Source e corrente de Gate do SPW17N80C3?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima é de ±30 V, e a corrente Gate (Ig) máxima é de ±200 mA.