Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de acionamento de motores e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-Phase Bridge |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo TT104N12KOF?
O módulo de potência IGBT TT104N12KOF da Infineon suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do TT104N12KOF?
A temperatura de operação (Tj) do TT104N12KOF varia de -40°C a +150°C.
Em quais configurações o TT104N12KOF está disponível?
O TT104N12KOF está disponível na configuração 3-Phase Bridge, com package EconoDUAL™ 3 e integra diodo de roda livre.