Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia IGBT para aplicações de alta corrente e alta tensão.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 600 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Dissipação de potência (Ptot) | 300 W |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.4 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, controle de motores |
Recursos
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo BSM75GP60?
O módulo BSM75GP60 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 600 V.
Em quais aplicações o BSM75GP60 é tipicamente utilizado?
O BSM75GP60 é utilizado em inversores solares, fontes de alimentação industriais e controle de motores.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM75GP60?
O BSM75GP60 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.