Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic_es) | 1 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente do gate (Ig) | ±200 nA |
| Capacitância de entrada (Cies) | 10.5 nF (típico) |
| Capacitância de saída (Coes) | 1.2 nF (típico) |
| Capacitância de transferência (Cres) | 0.3 nF (típico) |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação, acionamentos de motor |
FAQ
Qual a tensão máxima que o módulo DDB6U205N16L pode suportar?
O módulo DDB6U205N16L da Infineon suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1600 V.
Em quais aplicações o módulo DDB6U205N16L é tipicamente utilizado?
O DDB6U205N16L é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do DDB6U205N16L?
A temperatura de operação (Tj) do DDB6U205N16L varia de -40°C a +150°C.