Descrição
O Infineon BUP309 é um transistor de efeito de campo (FET) de potência de canal N, projetado para aplicações de comutação de alta corrente e alta tensão.
Especificações
| Tipo de Transistor | N-Channel Power MOSFET |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 600 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 25 A |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 0.15 Ohm (típico) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 3 V (típico) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1200 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 200 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 50 pF (típico) |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 100 A |
| Dissipação de Potência (Pd) | 150 W |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BUP309?
O Infineon BUP309 é encapsulado em TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do BUP309?
A temperatura de operação do BUP309 varia de -55 °C a +150 °C.
Quais as principais características elétricas do BUP309?
O BUP309 é um MOSFET de canal N com tensão Dreno-Fonte (Vds) de 600V, corrente de dreno contínua (Id) de 25A, e resistência Dreno-Fonte (Rds(on)) de 0.15 Ohm (típico).