Descrição
O Infineon IRF510 é um transistor de efeito de campo (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e uso geral.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 9.1A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V a 4V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.053 Ohm @ Vgs = 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 490pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 50pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF510?
O IRF510 é encapsulado em TO-220.
Qual a temperatura de operação do IRF510?
A temperatura de operação do IRF510 varia de -55°C a +175°C.
Quais são algumas das especificações elétricas do IRF510?
O IRF510 é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 100V, corrente de Drain contínua (Id) de 9.1A, e resistência Drain-Source (Rds(on)) de 0.053 Ohm @ Vgs = 10V.