Infineon BSP171P: Transistor MOSFET Canal P de Alta Eficiência
O BSP171P da Infineon é um transistor MOSFET de canal P que oferece excelente desempenho em aplicações de comutação de alta velocidade. Com um design robusto e confiável, este componente é ideal para uma variedade de projetos eletrônicos, desde controle de motores até fontes de alimentação.
Especificações Técnicas do BSP171P
- Tipo de Canal: Canal P
- Tensão Dreno-Fonte (VDS): -60 V
- Corrente de Dreno (ID): -1.9 A
- Resistência (RDS(on)): 300 mΩ
- Potência Dissipada (Ptot): 1.8 W
- Encapsulamento: SOT-223
Características Principais
O transistor MOSFET BSP171P se destaca pelas seguintes características:
- Baixa Resistência de Condução (RDS(on)): Permite menor dissipação de energia e maior eficiência.
- Alta Capacidade de Corrente: Suporta correntes de dreno de até -1.9 A, tornando-o adequado para aplicações de alta potência.
- Tempo de Comutação Rápido: Ideal para aplicações que exigem alta velocidade de chaveamento.
- Encapsulamento SOT-223: Compacto e fácil de montar em placas de circuito impresso.
Aplicações
Este MOSFET de canal P é a solução perfeita para diversas aplicações, como:
- Controle de motores DC
- Fontes de alimentação chaveadas
- Circuitos de acionamento de relés
- Conversores DC-DC
- Aplicações de controle industrial
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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon BSP171P e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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