Infineon BSS138N

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O Infineon BSS138N é um transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de chaveamento de sinal e baixo consumo de energia.

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Descrição

O Infineon BSS138N é um transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de chaveamento de sinal e baixo consumo de energia.

Especificações

Tipo de Transistor MOSFET de Canal N
Tensão Dreno Fonte (Vds): 50 V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 220 mA
Tensão de Limiar Gate Source (Vgs(th)): 1.5 V (máx.)
Resistência Dreno Source (Rds(on)): 2.5 Ohm (a Vgs=4.5V, Id=220mA)
Tensão Gate Source Máxima (Vgs): ±12 V
Encapsulamento SOT-23
Tecnologia TrenchFET®
Temperatura de Operação -55 °C a +150 °C
Aplicações Chaveamento de sinal, drivers de LED, circuitos de baixa potência

FAQ

Qual o encapsulamento do Infineon BSS138N?

O Infineon BSS138N é encapsulado em SOT-23.

Qual a faixa de temperatura de operação do BSS138N?

O BSS138N opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +150 °C.

Quais são as aplicações típicas do Infineon BSS138N?

As aplicações típicas do Infineon BSS138N incluem chaveamento de sinal, drivers de LED e circuitos de baixa potência.

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