Descrição
O Infineon BSS139 é um transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de chaveamento de sinal e baixa potência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 50 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 0.13 A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 1.5 V (máx.) |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 5 Ohm (máx.) @ Vgs = 4.5 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V (máx.) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 15 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 5 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 2 pF (típico) |
| Encapsulamento | SOT-23 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
FAQ
Qual o encapsulamento do BSS139?
O BSS139 é encapsulado em SOT-23.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSS139?
O BSS139 pode operar em temperaturas de -55 °C a +150 °C.
Qual a tensão máxima que pode ser aplicada entre Gate e Source (Vgs)?
A tensão máxima entre Gate e Source (Vgs) do BSS139 é ±20 V.