Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ S5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 20 A |
| Resistência Drain | Source On-State (RDS(on)): 0.19 Ω (máx. a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Corrente Gate Contínua (Id) | 20 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Package | PG-TO263-3 |
| Encapsulamento | Superfície |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), PFC, fontes de LED, inversores solares. |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPP20N60S5?
O SPP20N60S5 possui encapsulamento para montagem em superfície, no package PG-TO263-3.
Quais as aplicações típicas do SPP20N60S5?
O SPP20N60S5 é comumente utilizado em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), PFC, fontes de LED e inversores solares.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP20N60S5?
O SPP20N60S5 pode operar em temperaturas que variam de -55°C a +150°C.