Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação e conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ S5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 20 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.18 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | 200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Encapsulamento | TO-247 |
Recursos
- Diodo de recuperação rápida integrado
- Baixa carga de gate (Qg)
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual o encapsulamento do SPW20N60S5?
O SPW20N60S5 é encapsulado em TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPW20N60S5?
O SPW20N60S5 opera em temperaturas de -55°C a +150°C.
Quais as principais características de proteção e benefícios do SPW20N60S5?
O SPW20N60S5 possui um diodo de recuperação rápida integrado, baixa carga de gate (Qg) e alta densidade de potência.