Infineon BSM100GB120DN2E-3256 SKU BSM100GB120DN2E-3256

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

SKU: BSM100GB120DN2E-3256 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 100 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Package EconoDUAL™ 3
Configuração 6-pack
Temperatura de operação -40 °C a 150 °C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de roda livre rápido (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Isolamento galvânico

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do BSM100GB120DN2E-3256?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do BSM100GB120DN2E-3256 é de 1200 V.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência?

O BSM100GB120DN2E-3256 é projetado para aplicações em inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motor.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

A temperatura de operação do BSM100GB120DN2E-3256 varia de -40 °C a 150 °C.

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