Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta eficiência e confiabilidade.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 719 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 450 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 719A, 25°C: 1.75 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: 15 V |
| Corrente de Gate (Ig) máxima | 2.5 A |
| Potência Dissipada Máxima (Ptot) a 25°C | 2500 W |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a 175°C |
| Package | TO-247-3 |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação chaveadas, controle de motores |
Recursos
- Baixa perda de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor T719N12TOF suporta?
O transistor Infineon T719N12TOF possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.
Quais são as aplicações típicas do T719N12TOF?
As aplicações típicas do T719N12TOF incluem inversores solares, fontes de alimentação chaveadas e controle de motores.
Qual a faixa de temperatura de operação do T719N12TOF?
A temperatura de operação do T719N12TOF varia de -40°C a 175°C.