Descrição
Módulo de potência IGBT de alta corrente da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a 150 °C |
| Package | Module |
| Número de chaves | 6 |
Recursos
- Diodo de roda livre integrado
- Baixa indutância de gate
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT DDB6U100N16R pode suportar?
O módulo IGBT DDB6U100N16R da Infineon possui uma tensão do coletor-emissor (Vces) de 1600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do DDB6U100N16R?
A temperatura de operação (Tj) do DDB6U100N16R varia de -40 a 150 °C.
O DDB6U100N16R possui alguma proteção integrada?
Sim, o DDB6U100N16R inclui diodos de roda livre integrados.