Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de alta potência e frequência.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 100 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do BSM100GB120DN2?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do BSM100GB120DN2 é de 1200 V.
Em quais temperaturas o BSM100GB120DN2 pode operar?
O BSM100GB120DN2 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do BSM100GB120DN2?
O BSM100GB120DN2 é comumente utilizado em inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.