Descrição
O Infineon PTF080901E é um transistor de efeito de campo (FET) de potência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tipo de Transistor | N-Channel MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 80 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V (typ.) |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 8.5 mOhm @ Vgs = 10 V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Carga de Gate (Qg) | 45 nC (typ.) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1800 pF (typ.) |
| Corrente de Pico Pulsada (Idm) | 400 A |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon PTF080901E?
O Infineon PTF080901E utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do PTF080901E?
O PTF080901E opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão máxima Drain-Source suportada pelo PTF080901E?
O PTF080901E é um MOSFET de canal N com uma tensão Drain-Source (Vds) de 80 V.