Descrição
Transistor de efeito de campo de potência (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 80 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 6.5 mOhm a 10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2200 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 600 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 200 pF |
| Carga de Gate (Qg) | 45 nC |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET PTF080101LS pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 100 V, e a tensão Gate-Source máxima (Vgs) é de ±20 V.
Em quais temperaturas o PTF080101LS pode operar?
O PTF080101LS opera em temperaturas entre -55 °C e 175 °C.
Quais são algumas das principais características elétricas do PTF080101LS?
O PTF080101LS possui corrente Drain contínua (Id) de 80 A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 6.5 mOhm a 10V, tensão de limiar Gate-Source (Vgs(th)) de 2.5 V, capacitância de entrada (Ciss) de 2200 pF, capacitância de saída (Coss) de 600 pF, capacitância de transferência (Crss) de 200 pF e carga de gate (Qg) de 45 nC. Utiliza a tecnologia OptiMOS™ 3.