Infineon MA200E12 – Módulo IGBT de Alta Eficiência
O Infineon MA200E12 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de alta potência, oferecendo desempenho superior e confiabilidade em sistemas industriais e comerciais. Este dispositivo é ideal para inversores, conversores e motores elétricos que demandam alta eficiência energética e durabilidade.
Características Principais do Infineon MA200E12
- Tensão do coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente nominal do coletor (IC): 200A
- Baixa queda de tensão (VCE(sat)): Reduz perdas de condução
- Alta frequência de comutação: Suporte ideal para aplicações exigentes
- Eficiência energética otimizada: Redução no consumo de energia
- Design robusto e confiável: Adequado para operações em ambientes adversos
- Desempenho térmico: Dissipação de calor eficiente para maior vida útil
Aplicações do Módulo IGBT MA200E12
O módulo Infineon MA200E12 é amplamente utilizado em aplicações de alta potência e controle preciso, tais como:
- Inversores para motores industriais
- Fontes de alimentação de alta potência
- Conversores de energia em sistemas fotovoltaicos
- Controle de motores elétricos em veículos híbridos
- Drives para sistemas HVAC (aquecimento, ventilação e ar-condicionado)
Vantagens do Infineon MA200E12
O Infineon MA200E12 oferece diversas vantagens em comparação com módulos similares, destacando-se pela alta eficiência e confiabilidade. A combinação de baixa queda de tensão e alta capacidade de corrente permite operar sistemas com menor dissipação de energia, o que resulta em uma performance otimizada.
Além disso, seu design robusto e excelente desempenho térmico garantem uma operação estável mesmo em condições severas, prolongando a vida útil do sistema onde está instalado.
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