Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua do Coletor (Ic) a 25°C | 40 A |
| Corrente Contínua do Coletor (Ic) a 100°C | 20 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 40A, 15V: 1.7 V |
| Corrente Pulsada do Coletor (Icm) | 120 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 6 A |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 250 W |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 a 175 °C |
| Package | TO-247 |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 50 ns |
| Frequência de Comutação | Alta |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo IKW40T120?
O transistor IKW40T120 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em que faixa de temperatura o IKW40T120 pode operar?
O IKW40T120 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 a 175 °C (Tj).
Quais as características de corrente do IKW40T120?
O IKW40T120 possui uma corrente contínua do coletor (Ic) de 40 A a 25°C e 20 A a 100°C, corrente pulsada do coletor (Icm) de 120 A. A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.7 V a 40A.