Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 1200 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 2400 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (VGE(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Dissipação de potência (Ptot) | 10000 W |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FZ1200R12KL4C?
O módulo IGBT FZ1200R12KL4C suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo FZ1200R12KL4C opera em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40 a +150 °C.
Quais as principais características do diodo integrado e da tecnologia IGBT utilizada?
O FZ1200R12KL4C possui um diodo de freio integrado (Fast Diode) e utiliza a tecnologia IGBT 4, resultando em baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência.