Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia robustas.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 1200 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Corrente de pico de coletor (Icm) | 2400 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 mA |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores de alta potência, acionamentos de motores, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do módulo FZ1200R12KF5?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do módulo FZ1200R12KF5 é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo FZ1200R12KF5?
O módulo FZ1200R12KF5 é projetado para aplicações como inversores de alta potência, acionamentos de motores e fontes de alimentação industriais.
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ1200R12KF5?
A faixa de temperatura de operação do FZ1200R12KF5 é de -40 °C a +125 °C.