Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de conversão de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 1200 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 2400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga do gate (Ige) | ±250 nA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FZ1200R12KF4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo FZ1200R12KF4 opera em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40 a +150 °C.
Quais as principais características do IGBT utilizado no FZ1200R12KF4?
O FZ1200R12KF4 utiliza tecnologia IGBT 4, possui um diodo de freewheeling integrado (Fast Diode), apresenta baixas perdas de condução e comutação e oferece alta densidade de potência.