Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 100 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 2 inverters |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT FZ100R12KF5 pode suportar?
A tensão de coletor-emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo de potência?
O FZ100R12KF5 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a 150°C.
Quais as aplicações típicas do FZ100R12KF5?
Este módulo de potência é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, utilizando a tecnologia IGBT 4. Possui configuração de 2 inversores e um isolamento galvânico integrado.