Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de roda livre | SiC (Carbeto de Silício) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6 half-bridges |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 175 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motor |
Recursos
- Baixas perdas de comutação e condução
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo FS75R06W2E3B11?
A tensão do coletor-emissor (Vces) máxima é de 650 V.
Quais as aplicações típicas do FS75R06W2E3B11 e qual sua faixa de temperatura de operação?
O FS75R06W2E3B11 é projetado para inversores solares, UPS e acionamentos de motor, operando em uma faixa de temperatura de -40 °C a 175 °C.
Qual a tecnologia IGBT utilizada no FS75R06W2E3B11 e qual o material do diodo de roda livre?
O FS75R06W2E3B11 utiliza a tecnologia IGBT Trench Fieldstop e diodos de roda livre em SiC (Carbeto de Silício).