Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (Vge(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | a-caixa (Rth(j-c)): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS50R12W2T4B11?
O módulo IGBT FS50R12W2T4B11 possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do FS50R12W2T4B11?
O FS50R12W2T4B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Em quais aplicações o FS50R12W2T4B11 é tipicamente usado?
O FS50R12W2T4B11 é projetado para aplicações como inversores solares e sistemas de energia renovável. Ele possui tecnologia IGBT 4 e um diodo de roda livre integrado.