Descrição
Módulo de potência Infineon EconoDUAL™ 3 com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 600 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
| Tipo de diodo | Diode |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 100 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Temperatura de operação máxima da junção | 150 °C |
| Encapsulamento | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Configuração | 3-Phase Bridge |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do módulo de potência FS50R06YE3?
O módulo de potência FS50R06YE3 utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3.
Qual a temperatura máxima de operação da junção do FS50R06YE3?
A temperatura máxima de operação da junção do FS50R06YE3 é de 150 °C.
Qual a tensão nominal do coletor-emissor e a corrente nominal do coletor do FS50R06YE3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do FS50R06YE3 é de 600 V, e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 50 A.