Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 225 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 450 A |
| Tensão de saturação (Vce(sat)) | 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.32 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Com diodo freewheeling integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS225R12KT4?
O módulo IGBT FS225R12KT4 possui uma tensão nominal (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS225R12KT4?
O FS225R12KT4 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as características do encapsulamento do FS225R12KT4?
O FS225R12KT4 utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3 e possui 2 chaves IGBT com tecnologia IGBT 4 e diodo freewheeling integrado.