Descrição
Módulo de potência IGBT de 1200V com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 10 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pulso do coletor (Icm) | 30 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do FS10R12YT3?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FS10R12YT3 é de 1200V.
Quais são as características de condução e chaveamento do FS10R12YT3?
O FS10R12YT3 possui baixas perdas de condução e chaveamento. A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.8V (típico), a corrente contínua do coletor (Ic) é 10A e a corrente de pulso do coletor (Icm) é 30A. Ele utiliza tecnologia IGBT de alta performance e possui um diodo de freio rápido integrado.
Qual o tipo de encapsulamento e a faixa de temperatura de operação do FS10R12YT3?
O FS10R12YT3 é encapsulado em EconoDUAL™ 3. Sua temperatura de operação varia de -40°C a +150°C.