Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 900 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 1800 A |
| Tensão gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Perda de condução (Pcond) | 100 W (típico) |
| Perda de chaveamento (Psw) | 150 W (típico) |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores |
Recursos
- Tecnologia IGBT 5
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do FZ900R12KF5?
O módulo de potência IGBT FZ900R12KF5 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do FZ900R12KF5?
O FZ900R12KF5 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.
Qual a tensão gate-emissor máxima suportada pelo FZ900R12KF5?
A tensão gate-emissor (Vge) suportada pelo FZ900R12KF5 é de ±20 V.